半导体界“诺奖”迎来首位女性得主：AMD首席执行官苏姿丰

近日，半导体领域的“诺贝尔奖”授予52岁的AMD（Advanced Micro Devices，超威半导体公司）CEO苏姿丰。她也成为了第一位获得IEEE最高半导体奖的女性。

该奖项表彰其“在开创性的半导体产品和成功的商业战略方面的领导地位，为微电子行业的发展做出了贡献”。IEEE即电气和电子工程师协会，是全球最大的非营利性专业技术学会，IEEE Robert N. Noyce奖被认为是半导体领域的最高荣誉。

苏姿丰在2014年成为半导体公司AMD的第一位女性CEO，当时正值该公司在破产边缘，而在她上任以后，AMD的股价一路飙升——从每股不到2美元飙升至110美元左右。现在，AMD在业界享有“高性能计算领域的领导者”的名誉，让AMD重回主流市场的旗舰产品——锐龙、霄龙处理器都是在苏姿丰领导下推出的。

1969年，苏姿丰（Lisa Su）出生于中国台湾省台南市，在三岁时随在哥伦比亚大学就读的父亲入美，后考上纽约布朗克斯科学高中（Bronx High School of Science，先后诞生过6名诺贝尔奖得主和6名普利策奖得主）。

高中毕业后，苏姿丰入学麻省理工学院电气工程专业，主修电机，大二时开始研究SOI（Silicon on insulator，绝缘体上的硅，通过合适放置绝缘体，减少器件内的寄生电容，从而提高性能）技术，是最早研究该技术的人之一。在那时这项技术还没有经过测试，今天，其既用于提高微芯片的性能，又用于降低其功率要求，已是半导体行业的主流技术。

后来苏姿丰在这个当时被称为麻省理工学院最难的专业——EE（Electrical Engineering）读到了博士，24岁就获得博士学位。1995年，德州仪器（TI，是第一个硅晶体管、集成电路的研发者，现在是世界第三大半导体制造商）成为苏姿丰进入半导体行业的开始，后加入IBM。

在IBM任职期间，苏姿丰使用铜技术代替铝连接半导体芯片，解决了铜杂质污染的问题，使芯片比传统铝连接快10%到20%。

2002年，在从业7年后，因为新技术的研发与杰出的领导力，苏姿丰被麻省理工学院技术评论杂志（MIT Technology Review）评为“35岁以下杰出创新者”。

后来更为传奇的“再造AMD”故事从2012年苏姿丰成为负责全球业务部门的高级副总裁开始，于2014年AMD面临巨大危机之际成为其成立以来首位女性CEO。又是一个七年，苏姿丰改变了当时英特尔（intel）的产品超过百分之九十以上的市场占有率的局面，拿出与英特尔旗鼓相当的产品，使AMD成为其不可小觑的竞争对手。

西班牙媒体《HD Tecnologia》称苏姿丰的职业生涯可分为两个阶段，第一阶段跨越20年左右，专注于技术研发，第二个阶段则是跨越15年的管理者角色。

据《IEEE Spectrum》，苏姿丰在得知获奖后说道，“老实说，我从未想过我会获得诺伊斯奖。”同时表示，“这是一生的荣誉，获得技术社区同行的认可会让人更感不足。我热爱我的工作，并将继续为半导体行业做出贡献。”（It's an honor of a lifetime. To have that recognition from my peers in the technical community is a humbling experience. But I love what I do and being able to contribute to the semiconductor industry.）

IEEE Robert N. Noyce不是苏姿丰近期获得的唯一奖项。就在2021年9月22日，美国白宫公布了30位美国最杰出的科技领袖——总统科技顾问委员会（PCAST​​）的成员名单，苏姿丰也名列其中。PCAST​​是美国艾森豪威尔总统于1957年在人造卫星发射后几周建立的科学咨询委员会，是负责向美国总统和白宫提出科学、技术和创新政策建议的唯一外部顾问机构。

在苏姿丰的入选介绍中写着，其曾开创使用铜代替铝连接计算机芯片，使芯片速度提高了20%，以及被《财富》杂志评为2020年“年度商业人物”第2名、《巴伦杂志》2019年的“世界最佳CEO”之一等成就。

在一个月前，英伟达（NVIDIA）首席执行官黄仁勋获得了半导体行业协会（SIA）颁发的Robert N. Noyce 奖。值得注意的是，两个奖项均以罗伯特·诺伊斯 (Robert N. Noyce) 的名字命名，但来自两个不同的组织。