中国电科产业基础研究院突破高功率一片式T/R芯片技术 | 一线快报

▲ 点击蓝字“中国电科”，关注CETC品牌微刊

近日，中国电科产业基础研究院突破毫米波频段氮化镓一片式T/R芯片技术，实现大功率氮化镓功率芯片与硅基幅相多功能芯片异构集成，大幅提升输出功率，为下一代高功率T/R芯片产业化应用奠定坚实基础。T/R芯片是通信与探测系统中的核心部件，负责微波信号的发射与接收。传统T/R芯片因技术限制，存在功率不足、体积较大、效率较低等问题，技术团队运用异构集成技术，将氮化镓功率器件和硅幅相多功能器件“拼装”在同一芯片上，实现了“一片式”设计，体积更小，效率更高。

该项技术将在通信遥感、商业航天、航空测绘等领域释放巨大潜力。在通信遥感方面，可提升卫星信号传输的稳定性，助力低轨卫星组网、高分辨率遥感成像，为智慧城市、灾害监测提供精准数据。在商业航天方面，有助于降低卫星载荷重量和体积，推动低成本航天器研发。在高精度测绘方面，搭载该芯片的探测器可实现更远距离、更高分辨率的地形扫描，用于地质勘探、城市规划及应急救灾快速测绘。

后续，技术团队将进一步创新突破，推动T/R芯片技术产业化落地，加速其在更多领域的应用。

原标题：《中国电科产业基础研究院突破高功率一片式T/R芯片技术 | 一线快报》

阅读原文