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2027年HBM合约价格,将大幅上涨

预计人工智能基础设施的加速部署将使HBM需求在2026年和2027年保持强劲增长。
自2025年下半年以来,传统DRAM价格的急剧上涨反映出供需环境日益紧张。然而,TrendForce的最新研究显示,三大HBM供应商采用的年度定价机制,使得合同价格无法及时充分地反映季度市场价格的上涨。
随着市场进入2026年第二季度,买家和供应商之间的谈判已转向 2027年HBM4供应协议,预计这将成为市场的主流项目。
根据 TrendForce 对 HBM 和传统 DRAM 单晶圆收入的分析(使用芯片尺寸、良率和每 Gb 价格估算),2026 年第一季度 HBM 晶圆收入被 DDR5 64GB RDIMM 超越。这导致自 2026 年第一季度以来,HBM 的盈利能力也低于 DDR5 64GB RDIMM。
因此,供应商预计将根据HBM的价格走势调整HBM和传统DRAM的生产分配。这将确保HBM继续作为支撑AI训练和推理基础设施的核心内存组件。这种动态变化预计还将推动整个AI生态系统(包括RDIMM、服务器LPDDR和边缘设备中使用的传统DRAM)的更广泛需求。
人工智能专用集成电路(AI ASIC)将在2026年推动HBM需求增长;Rubin Ultra和人工智能专用集成电路(AI ASIC)将在2027年进一步加速需求增长。
预计人工智能基础设施的加速部署将使 HBM 需求在 2026 年和 2027 年保持强劲增长,尽管这两年的主要需求驱动因素会有所不同。

2026年,HBM需求增长将主要由AI ASIC产能升级驱动,每颗AI芯片的HBM容量将从96GB/192GB大幅提升至216GB/288GB。尽管NVIDIA Rubin平台每颗GPU的HBM容量预计与上一代产品相近,但更高的出货量将继续推高整体需求。
预计到 2027 年,NVIDIA 的 Rubin Ultra 平台将进一步提升每颗 GPU 的 HBM 容量至 384GB。与此同时,诸如 Google TPU 等 AI ASIC 平台预计将随着部署量的增加而进一步推高对 HBM 位的需求。
TrendForce 预计,到2025年底、2026年底和2027年底,三大供应商的HBM晶圆投入量将分别占DRAM晶圆总投入量的约18%、22%和30%。同时,同期HBM位供应量预计将分别占DRAM位总供应量的约8%、9%和13%。
总体而言,随着HBM技术在2027年不断发展,芯片尺寸增大,需求也随之增长,传统DRAM产能的挤出效应预计将进一步加剧。这将为供应商提高HBM价格提供强有力的理由,并增强其在明年HBM价格谈判中的议价能力。
三星首次公开HBM5 模型
三星电子公开了第8代高带宽存储器(HBM5)的首个实物模型,展现出抢占下一代HBM技术制高点的意志。
三星电子首席技术官(CTO)Song Jaehyuk于2日在中国台湾台北举行的“Computex 2026”三星显示展台接受采访时表示,“人工智能(AI)技术并非单一技术,涵盖存储、封装以及热管理在内的整个系统优化至关重要。”他称,“三星作为同时拥有存储和晶圆代工(半导体委托生产)的综合半导体企业(Integrated Device Manufacturer),具备优化整体系统的优势。”并表示,“将通过这一优势满足包括英伟达在内的最终客户需求。”
三星电子此次展会首次正式公开HBM5模型,并介绍了将首次应用于HBM5的核心热管理技术“HPB(Heat Path Block)”结构。三星电子计划在HBM5中率先采用由自家晶圆代工2纳米工艺制造的基础裸片。

HPB是为解决提升AI存储性能过程中可能产生的发热问题而开发的技术,其设计可更高效地分散并释放裸片与裸片之间物理表面产生的热量。三星电子已基于HBM4E完成HPB技术的实现与验证。今后将从HBM5开始正式应用,进一步提升性能与稳定性。
Song Jaehyuk 表示:“在 HBM5中,为优化基础裸片,将引入2纳米尖端工艺。公司正准备满足市场所要求的带宽和电力效率。自引入环绕栅极(GAA)技术以来,过去3至4年积累的研发成果正得到良好体现,将借此获取差异化竞争力。”
尤其是,三星还公开了被视为下一代HBM核心技术的混合键合技术应用现状。Song Jaehyuk表示:“混合键合是在无间隙状态下直接连接的技术,能够缩小连接焊盘间距,也更有利于提升带宽。”他强调:“如果说现有的TCB属于封装技术,那么混合键合则是基于三星强项——硅工艺的技术。”
关于下一代HBM堆叠结构,他表示:“正在考虑12层、16层、20层堆叠,并正根据客户对存储容量提升的需求推进技术开发。”
此外,Song Jaehyuk在谈及半导体微细工艺的发展方向时表示:“正在从设备、材料和生态系统层面推进迈向1纳米以下的准备工作,认为1纳米以下工艺也将成为可能。”
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