总投资349亿元！长鑫科技拟用180亿元超募资金投资研发和测试两大新项目

上市不足两个月，长鑫科技（688825）拟进一步动用超募资金扩大研发及产业化投入，项目总投资达到349亿元。

9月28日，长鑫科技公告称，公司拟使用180亿元超募资金投资建设两个新项目，其中130亿元用于新建技术研发项目，50亿元通过向全资子公司增资和提供借款的方式，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。上述议案已于9月28日经公司第二届董事会第六次会议审议通过，尚需提交股东会审议。

公告显示，长鑫科技此次IPO最终募集资金净额为663.10亿元，其中超募资金为368.10亿元。截至目前，公司尚未使用超募资金。本次拟使用180亿元，占超募资金规模的近一半。

其中，技术研发项目计划总投资241亿元，建设周期30个月，实施地点位于安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内。公司拟使用超募资金130亿元，主要用于设备购置，设备购置费在项目总投资中的占比达到92.94%。

长鑫科技表示，该项目主要用于技术研发，通过持续推进产品和制程工艺迭代，提升存储密度、功耗控制以及读写性能，并加快新产品推出。由于项目属于研发项目，公司未单独测算投资回报，其经济效益主要通过技术赋能主营产品、推动业务增长体现。

另一个项目则直接指向存储芯片的后道测试环节。

公告显示，长鑫科技拟投资建设“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”，项目总投资108亿元，建设周期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。公司拟通过向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司增资和提供借款的方式投入50亿元超募资金，其中50亿元主要用于设备购置及安装。

对于建设后道测试基地，长鑫科技在公告中表示，随着公司产能持续提升、产品种类增加，未来可能面临外部封测厂测试产能不足以及新增投资配套不足的问题。通过自建后道测试和模组项目，公司可以更加灵活地协调测试产能，降低DRAM芯片测试成本，并进一步完善IDM模式。

从资金投向来看，此次180亿元超募资金并非单纯扩充晶圆制造产能，而是同时加码技术研发和后道测试两个环节。一方面，公司希望通过研发投入推动DRAM产品和工艺持续迭代；另一方面，通过补充后道测试能力，进一步强化从前道制造到后道测试的产业链整合。

值得注意的是，长鑫科技此次IPO募资规模较大。公司首次公开发行股票最终募集资金总额为666.07亿元，此前公司披露的募集资金主要投向存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM存储器技术升级以及动态随机存取存储器前瞻技术研发等项目。

在技术储备方面，长鑫科技公告称，截至2026年6月30日，公司拥有4484项境内专利和3400项境外专利，研发人员7491人，占员工总数超过33%。公司目前已实现第五代工艺技术平台量产，并覆盖DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等产品。

不过，长鑫科技也提示了相关风险，包括政策和项目审批变化、市场环境变化、项目建设进度不及预期以及研发技术难题等。对于后道测试基地二期，公司同时提示，如果新增产能无法按预期实现满产，人力成本、设备折旧和厂房运维费用可能对阶段性财务表现形成压力。

此次180亿元超募资金投入完成后，长鑫科技仍将保留约188亿元超募资金。按照公告，公司将在相关审批程序完成后开立募集资金专用账户，并根据项目实施进度逐步投入资金。

9月28日收盘，长鑫科技报收53.80元，跌4.27%，总市值3.65万亿元。